背面研磨: 晶圆减薄

晶圆减薄当然是非常精密的加工过程。在减薄过程中，需要用接触式或非接触式传感器严格控制加工过程。

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封装前，晶圆需要达到正确的厚度，这是半导体生产的关键。
晶圆背面研磨（晶圆减薄）是一种半导体生产工序，在此期间需要严格控制晶圆厚度，使晶圆达到超薄的厚度，最终可叠放和高密度封装在微型电子器件中。
晶圆减薄当然是半导体生产的关键环节。
芯片已在晶圆上成形，减薄操作的任何失误都可能影响芯片成品率和成本。
在减薄加工中，可用接触式或非接触式传感器测量，甚至可在去离子水中测量，进行严格在线控制。
马波斯传感器甚至可检测到砂轮与晶圆接触的瞬间或检查任何过载。

优势

可在干式和湿式环境中可靠地在线测量厚度
测量不受胶带支撑或粘结剂影响
可控制的绝对厚度从4µm到900 µm（单侧测量）
智能处理厚度数据，可正常控制超薄厚度和记录数据（黑盒功能）

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