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背面研磨的过程控制解决方案

封装前,确保正确的晶圆厚度是半导体生产的关键。晶圆背面研磨(或晶圆减薄)是半导体生产中的一道重要工序,此工序需要严格控制晶圆厚度,使晶圆达到超薄的厚度,最终可叠放和高密度封装在微型电子器件中。

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描述

晶圆减薄是半导体生产的关键环节。此时晶圆上已布满芯片,因此工序中的任何缺陷都影响良率和成本。在减薄加工中,可用接触式或非接触式传感器测量厚度,甚至可在充满去离子水的环境中稳定测量,进行严格在线控制。整个工序中,马波斯传感器都可以实时地、稳定地采集晶圆厚度数据。

晶圆研磨通常分为两个阶段:粗磨和精磨。粗磨期间,硅材的去除量较大,精磨时去除量较小直到晶圆达到最终厚度要求,此最终厚度通常小于100µm。马波斯接触式测量仪可轻松控制粗磨工序,这些测量仪设计坚固,可在去离子水中使用,且不污染去离子水,进而避免影响晶圆质量。

马波斯还提供非接触式测量仪,特别适用于精磨工序,此期间的厚度测量必须十分谨慎,避免损坏晶圆。非接触式测量通常难以在背面研磨机的不清洁和含水环境中使用;然而,马波斯测量仪可以,而且与晶圆粗糙度和与被研磨的材料类型无关。

除此以外,为了保证设备的高产出率,通过“预防性”报警功能使生产设备长时间正常使用就变得非常重要。马波斯的设备监控相关产品可协助实现此目的。通过监控研磨机上砂轮修整和其它振动情况,可确保研磨机正常工作。

通过严格控制研磨机和主轴振动情况,可以及早发现机械故障,进而降低后继成本,提高质量和工作效率。马波斯各类型监控系统(包含振动传感器、温度传感器和选配的重力传感器)可协助实现上述功能。监控系统可分别设置报警极限,如果高于或低于此极限值,立即执行预先定义的响应。

总之,马波斯拥有完整的产品线,可保持半导体生产设备稳定可控。

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