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Procesos de lapeado, pulido y CMP de semiconductores y obleas de zafiro

Este proceso es especialmente crítico dado que es necesario un control estricto de la variación del grosor total de la oblea y el acabado de la superficie. 

Semiconductor and sapphire wafers's lapping, polishing and CMP precesses
DESCRIPCIÓN

Las obleas realizadas con silicio, zafiro, arseniuro de galio, carburo de silicio y otros materiales necesitan una tecnología de procesamiento de superficie de elevada precisión. Las máquinas de afilado, lapeado, mecanizado y pulido químico para sustratos de todos los diámetros tienen que ofrecer resultados de proceso elevados y de vanguardia en lo que se refiere a las geometrías locales y globales de la oblea fabricada.

El lapeado y el pulido son críticos: hacen necesarios pasos que tardan mucho tiempo y un estricto control de la variación del grosor total de la oblea. Gracias al sensor de infrarrojos de Marposs, se puede controlar el grosor durante e inmediatamente después de esta operación crucial. Esto ayuda a mantener el proceso bajo control sin que importe el desgaste  de las partes consumibles.  Por su parte, el sensor de monitorización Marposs puede mantener bajo control las vibraciones no deseadas. 

VENTAJAS
  • Medida de grosor absoluto de la oblea de Si-Zafiro-SiC-GaN durante el lapeado con resolución nanométrica
  • Control de grosor durante todo el ciclo de mecanizado, se puede detener el mecanizado en el momento adecuado 
  • Medida independiente del desgaste de la mesa de elaboración  a lo largo del tiempo
  • Monitorización de la vibración para un acabado de la superficie perfecto
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